RmutPhysics.com
พฤศจิกายน 23, 2020, 08:02:58 am *
ยินดีต้อนรับคุณ, บุคคลทั่วไป กรุณา เข้าสู่ระบบ หรือ ลงทะเบียน

เข้าสู่ระบบด้วยชื่อผู้ใช้ รหัสผ่าน และระยะเวลาในเซสชั่น
ข่าว:
 
   หน้าแรก   ช่วยเหลือ ค้นหา ปฏิทิน สมาชิก เข้าสู่ระบบ สมัครสมาชิก  
หน้า: [1] 2 3 ... 5
  พิมพ์  
ผู้เขียน หัวข้อ: แผ่นใสเรื่อง electronic  (อ่าน 12077 ครั้ง)
0 สมาชิก และ 1 บุคคลทั่วไป กำลังดูหัวข้อนี้
ฟิสิกส์ราชมงคล
Administrator
สุดยอดสมาชิก
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 625


ดูรายละเอียด อีเมล์
« เมื่อ: สิงหาคม 10, 2007, 08:23:34 am »

electronic   เบื้องต้น  ของ อ.อาทิตย์ ลภิรัตนากูล ภาควิชาฟิสิกส์ คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่  จำนวน 32  แผ่น คลิกครับ


* electronic.gif (14.11 KB, 383x250 - ดู 361 ครั้ง.)
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Sunti
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 123


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #1 เมื่อ: มกราคม 08, 2011, 05:19:14 pm »

Sunti Civil  นายสันติ  บัวงาม  นศ.วิศวกรรมโยธา   รหัส 115330411021-2  Sec 4 เลขที่ 16  ตอบกระทู้วันที่  8/01/54  เวลา 17:18 น. ณ. หอป้าอ้วน
   การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Nueng
อภิมหาเทพ
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 86


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #2 เมื่อ: มกราคม 08, 2011, 05:43:36 pm »

นางสาวสมฤดี  สอนชอุ่ม รหัส 115110903066-8 sec 02 เลขที่ 19 เข้ามาตอบกระทู้วันที่  8 ม.ค. 54 เวลา 17.42  น. ณ หอพักไพลินเพลส
สรุปสาระสำคัญได้ว่า ....
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
nutthaporn
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 130


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #3 เมื่อ: มกราคม 08, 2011, 11:49:02 pm »

นางสาว กิติมา  รัตโนทัย เลขที่ 16 รหัส 115110903001-5 วันที่ 8 ม.ค. 54 เวลา 23.49 น. สถานที่ หอ zoom
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
nutthaporn
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 130


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #4 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 02:00:00 am »

นางสาวณัฐพร  พิศนุ sec 02 เลขที่ 17 รหัส 115110903030-4 วันที่ 09/01/2554 เวลา 02.00 สถานที่ หอ ZOOM

สรุปได้ว่า
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ
1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
 
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
kitima
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 119


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #5 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 10:20:58 am »

นางสาว กิติมา  รัตโนทัย เลขที่ 16 รหัส 115110903001-5 วันที่ 9 ม.ค. 54 เวลา 10.21 น. สถานที่ หอ zoom
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
kambio
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 121


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #6 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 01:51:24 pm »

นางสาว นันทวัน  มีชำนาญ  นักศึกษาคณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี  สาขา ชีววิทยา  sec. 02  เลขที่  43  รหัส  115210904052-5  เข้ามาตอบกระทู้วันที่  9  ม.ค.  2554   สถานที่  บ้าน  เวลา  13.50  น.

    Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป

    Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Piyarat Mounpao
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 135


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #7 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 02:47:59 pm »

นางสวปิยะรัตน์ เหมือนเผ่า เลขที่ 42 รหัส 115210904050-9 กลุ่ม 02 คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขาวิชาชชีววิทยา สถานที่ บ้าน เวลา 14.47 น. วันที่ 09/01/54
Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
kodchaporn
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 128


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #8 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 04:21:10 pm »

น.ส กชพร  เพ็งคำเส็ง นศ.วิศวกรรมเกษตร-สาขาอาหาร sec02 เลขที่29
รหัส 115210417059-0
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
ตอบกระทู้วันที่วันที่  9  มกราคม 2554 เวลา 16.21 น.   สถานที่ บ้าน

   การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Sirilak
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 114


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #9 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 09:50:02 pm »

นางสาวสิริลักษณ์ ศัพสุข เลขที่ใหม่30 sec02 รหัส115210417064-0
เรียนกับ อ.จรัส บุณยธรรมา วันที่9 มกราคม 2554 เวลา 21.49น.

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Jantira
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 126


ดูรายละเอียด
« ตอบ #10 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 10:09:15 pm »

นางสาวจันทิรา รัตนพันธุ์ คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขาสถิติประยุกต์ รหัส115310903042-5 เลขที่64 sec02 วันที่9/01/2554 สถานที่Banoffee เวลา22.08น.
สรุป
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
   
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Narumol
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 103


ดูรายละเอียด
« ตอบ #11 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 10:09:56 pm »

น.ส.นฤมล กำลังฟู เลขที่26 รหัสนักศึกษา 115210417031-9  Sec.2
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Jutharat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 126


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #12 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 11:35:05 pm »

น.ส จุฑารัคน์ นาวายนต์ รหัส 115210417058-2 sec02 เลขที่28เข้ามาตอบกระทู้วันที่วันที่ 9  มกราคม 2554 เวลา 23.35น.   สถานที่ หอ RS
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
siwapat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 125


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #13 เมื่อ: มกราคม 09, 2011, 11:41:59 pm »

ผมนายศิวภัทร์ รัตนสมบูรณ์ 115330411024-6 sec.4 เลขที่18 วิศวกรรมโยธา วันที่9/1/54 เวลา11.39 pm. ที่หอลากูลแมนชั่น
วัสดุกึ่งตัวนำ โดยในตารางธาตุ แสดงถึงสมบัติกานำไฟฟ้าของธาตุ ขึ้นกับจำนวนวาเฃลซ์ อิเล็กตรอนในอะตอม ของธาตุนั้นๆ จะมีธาตุคาร์บอน, ซิลิกอน และเจอมาเนียม เป็นธาตุที่มีวาเลซ์อิเล็กตอน 4ตัว จึงเรียงตัวเป็น lattice ได้ดี ที่จะทำให้ผลึกซิลิกอนเป็นตัวไฟฟ้า
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
amnuay cve2
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 115


ดูรายละเอียด
« ตอบ #14 เมื่อ: มกราคม 10, 2011, 10:51:33 am »

  Smileyกระผมนาย อำนวย เกิดโภคา นักศึกษาคณะวิศวกรรมโยธา SEC 17 เลขที่ 10 รหัส 115340411116-9 อาจารย์ผู้สอน ผศ. จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 10/1/2554 ที่บ้าน เวลา 10.51 น. Cheesy
   การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
sumintra
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 131


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #15 เมื่อ: มกราคม 10, 2011, 12:40:24 pm »

นางสาวสุมินตรา  งามสมบัติ เลขที่ 36 รหัส 115210452022-4 sec 2
ตอบกระทู้วันที่  10 มกราคม 2554  เวลา 12.40  ที่หอพัก

มีความเห็นว่า...

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
ดนุพร อ่อนศรี
อภิมหาเทพ
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 80


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #16 เมื่อ: มกราคม 10, 2011, 01:11:23 pm »



นายดนุพร  อ่อนศรี   รหัส 115040472024-7 sec.02 เลขที่ 8 ภาควิชาวิศวกรรมพลาสติก ตอบกระทู้ที่บ้านซอยอิสเทิล วันที่ 10/01/2554 เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมาการควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Jutamat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 125


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #17 เมื่อ: มกราคม 10, 2011, 01:16:55 pm »

นางสาว จุฑามาศ  เชื้ออภัย นักศึกษาคณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขา ชีววิทยา sec. 02 เลขที่ 38 รหัส 115210904056-6 เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 10 ม.ค. 2554 สถานที่ หอใน เวลา 13.16 น.

 Doping Silicon คือ การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
 1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
 2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป

แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Kunlaya
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 100


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #18 เมื่อ: มกราคม 10, 2011, 03:57:39 pm »

นางสาวกัลยา  เปรมเปรย SEC 02 เลขที่ 33 รหัส 115210441262-0 นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ วิศวกรรมอุตสาหการ เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 10/01/2554
ที่ วิทยะบริการ  เวลา 15.56 น.
มีความเห็นว่า
 N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Nitikanss
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 119


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #19 เมื่อ: มกราคม 10, 2011, 04:44:07 pm »

นางสาวนิติการณ์ รัตนบุรี  คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขาสถิติประยุกต์ รหัส115310903052-4 เลขที่ 71 sec02 วันที่10/01/2554 สถานที่Banoffee เวลา16.44น.
สรุป
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
   
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
sutin
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 123


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #20 เมื่อ: มกราคม 10, 2011, 10:51:19 pm »

นาย สุทิน ศรีวิลัย เลขที่ 25 sec17 รหัส 115340441222-9 สถานที่ หอพักปานรุ้ง ตอบกระทู้วันที่ 10/1/2554 เวลา 22.50 น.
การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก
ซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ 1.N-type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป 2.P-type doping
ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
nontapun
มือโปรขยันโพสขั้นเทพ
****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 65


ดูรายละเอียด
« ตอบ #21 เมื่อ: มกราคม 11, 2011, 09:49:24 am »

นาย นนทพันธ์ เสนาฤทธิ์ นศ.วิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ sec4
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
ตอบกระทู้วันที่วันที่  11  มกราคม 2554 เวลา 09.55 น.   สถานที่ บ้าน

   การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
kittisap
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 118


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #22 เมื่อ: มกราคม 11, 2011, 12:46:56 pm »

กระผม นายกิตติศัพท์ ถนัดงาน นศ.วิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ  sec.4
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
เข้ามาตอบกระทู้วันที่  11 มกราคม 2554 ที่ บ้าน ซอยพรธิสาร3  เวลา 12.46 น.
ความคิดเห็นว่า
    การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
werayut rmutt
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 120


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #23 เมื่อ: มกราคม 11, 2011, 02:35:19 pm »

นายวีรยุทธ บุญใหญ่ รหัส115330411052-7 เลขที่ 45 sec.4 คณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมโยธา
เข้ามาตอบกระทู้เมื่อวันที่ 11 มกราคม 2554 เวลา 14.32 น. ณ ตึกวิทยะบริการ

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Mickey2010
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 131


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #24 เมื่อ: มกราคม 11, 2011, 02:54:20 pm »

นางสาวปัทมา วงษ์แก้วฟ้า  รหัส115310903038-3  เลขที่61  sec02  คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขาสถิติประยุกต์   เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 11 มกราคม 2554 เวลา 14.42 น.  สถานที่บ้านของตนเอง
สรุปได้ว่า
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Chantana
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 125


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #25 เมื่อ: มกราคม 11, 2011, 02:59:45 pm »

นางสาวฉันทนา  ไกรสินธุ์  คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี  สาขาวิชาสถิติประยุกต์  sec 02 เลขที่ 47 รหัส 115310903002-9 เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 11/01/2554 เวลา 15:00 สถานที่ Shooter Internet อ่านแล้วสรุปได้ว่า

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
heetoon
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 120


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #26 เมื่อ: มกราคม 11, 2011, 03:02:53 pm »

นายราชันย์ บุตรชน รหัส115330411047-7 sec.4 คณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมโยธา
ตอบกระทู้เวันที่ 11/01/2554 เวลา 15.00 น. ณ Four B4

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Bifern
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 125


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #27 เมื่อ: มกราคม 11, 2011, 03:11:27 pm »

นางสาวชลทิพย์  เปาทอง  นักศึกษาคณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี  สาขาวิชาสถิติประยุกต์  เลขที่ 48 รหัสนักศึกษา 115310903007-8 เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 11/01/2554 เวลา 15.03  สถานที่ บ้านตัวเอง
สรุปได้ว่า
- วัสดุกึ่งตัวนำ ทำมาจาก ซิลิคอน, เจอมาเนียมและคาร์บอน
- Doping Silicon การควบคุมความสามารถในการนำไฟฟ้า ทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก
- การไบแอสตรง คือ การต่อขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟฟ้าเข้าที่สาร P และต่อขั้วลบเข้าที่สาร N
- การไบแอสกลับ คือ การต่อขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟเข้าที่สาร P และต่อขั้วบวกเข้าที่สาร N
- ไดโอด มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบแอสตรง ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้าเสียหายหากต่อผิดขั้ว
- LED จะให้แสงสว่างเมื่อมีกระแสไฟฟ้าไหลถูกขั้ว
- LDR เป็นอุปกรณ์ที่สามารถเปลี่ยนค่าความต้านทานเองได้ตามความเข้มแสงที่ตกกระทบ
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
namwhan
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 111


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #28 เมื่อ: มกราคม 11, 2011, 03:26:52 pm »

นางสาวพรรณฐิณี   โสภาวนัส  รหัส1153109030334เลขที่50  sec02  คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขาสถิติประยุกต์   เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 11 มกราคม 2554 เวลา 15.30 น.  สถานที่หอพักในสรุปได้ว่า
องตนเอง
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
rungniran
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 126


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #29 เมื่อ: มกราคม 11, 2011, 03:30:39 pm »

นายรุ่งนิรันดร์ สอนจันทร์ นศ.คณวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมโยธา   รหัส 115330411005-5  Sec 04 เลขที่ 5  ตอบกระทู้วันที่  11/01/54  เวลา 15:28 น. ที่สวนสุทธิพันธ์
   การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่ Grin
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
หน้า: [1] 2 3 ... 5
  พิมพ์  
 
กระโดดไป:  

Powered by SMF 1.1.4 | SMF © 2006-2007, Simple Machines LLC | Thai language by ThaiSMF
หน้านี้ถูกสร้างขึ้นภายในเวลา 0.422 วินาที กับ 21 คำสั่ง