RmutPhysics.com
พฤศจิกายน 23, 2020, 07:13:51 am *
ยินดีต้อนรับคุณ, บุคคลทั่วไป กรุณา เข้าสู่ระบบ หรือ ลงทะเบียน

เข้าสู่ระบบด้วยชื่อผู้ใช้ รหัสผ่าน และระยะเวลาในเซสชั่น
ข่าว:
 
   หน้าแรก   ช่วยเหลือ ค้นหา ปฏิทิน สมาชิก เข้าสู่ระบบ สมัครสมาชิก  
หน้า: 1 2 [3] 4 5
  พิมพ์  
ผู้เขียน หัวข้อ: แผ่นใสเรื่อง electronic  (อ่าน 12072 ครั้ง)
0 สมาชิก และ 1 บุคคลทั่วไป กำลังดูหัวข้อนี้
aimz
อภิมหาเทพ
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 92


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #60 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 08:29:42 pm »

นางสาว สุภวรรณ เดชปรีดาผล รหัส 115110903068-4 sec .02

เข้าตอบกระทู้ วันที่ 12 01 54 เวลา 20:28


สรุปว่า

 การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
TanGMe
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 127


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #61 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 08:48:36 pm »

นางสาวภัทรพร ผลอำไพ รหัสนักศึกษา 115110417062-6 เลขที่ 9 sec 02 เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 12 มกราคม 2554 20.50 น. ที่หออยู่บ้านแมนชั่น
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Kotchapan
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 129


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #62 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 08:56:08 pm »

นาย คชพันธ์ พงษ์ไพร นศ.คณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมโยธา รหัสนักศึกษา 115330411048-5 เลขที่ 41 Sec.04
เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา วันที่ 12/01/2554 สถานที่ กิตติพงษ์แมนชั่น เวลา 20.57 น.
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ ได้แก่
1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
- สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
- เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
ประโยชน์ของไดโอด
- ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
- ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
pongpat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 114


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #63 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 09:35:35 pm »

กระผมนายพงษ์พัฒน์  น้อยโพธิ์  นศ.วิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ  sec 4 เลขที่ 51 รหัส 115330441207-1
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมาเข้ามาตอบกระทู้วันที่ 12 มกราคม 2554 ที่ บ้าน  เวลา 21.35 น
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
kranjana
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 111


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #64 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 10:05:20 pm »

นางสาวกาญจนา  แสงวงศ์   เลขที่ 45 รหัส 115210904068-1 sec2  วันที่12 ม.ค. 54 เวลา 22.05 น. สถานที่ หอใน

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเ
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Biwtiz
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 124


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #65 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 10:06:55 pm »

น.ส กชพรรณ นาสวาสดิ์ คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขาสถิติ รหัสนักศึกษา 115310903036-7 เลขที่ 53 sec 02 ตอบกระทู้วันที่ 12 ม.ค 54 เวลา 22.06  น.
 สถานที่ บ้านคลอง 6
สรุปได้ว่า
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
     1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
     2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
 Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
     - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
     - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
 ประโยชน์ของไดโอด
     - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
     - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Tarintip
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 124


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #66 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 10:13:03 pm »

นางสาวธารินทิพย์ วรรณกลาง นักศึกษาคณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขาสถิติประยุกต์ sec02  เลขที่ 66  ตอบกระทู้วันที่ 12/01/54  เวลา 22.01 สถานที่ หอใน
สรุปว่า -doping silicon เป็นการควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน สามารถดอปได้ 2 แบบคือ
       1.N-type doping        2.P-type doping
        - การไบอัสตรง คือ การต่อขั้วบวก ของแหล่งจ่ายไฟฟ้าเข้าที่สาร P และต่อขั้วลบเข้าที่สาร N
        -การไบอัสกลับ คือ การต่อขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟเข้าที่สาร P และต่อขั้วบวกเข้าที่สาร N
        -ไดโอด เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียว
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
toonpccphet
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 116


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #67 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 10:30:48 pm »

นายสุรเชษฐ  ทองโฉม  นักศึกษาคณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี  สาขาวิชาสถิติประยุกต์  sec02  เลขที่ 65  รหัส 115310903044-1  เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 12/01/2554 เวลา 22:30  ณ บ้าน
สรุปได้ว่า
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
  1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
  2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
  - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
  - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
ประโยชน์ของไดโอด
  - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
  - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
waranya
อภิมหาเทพ
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 93


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #68 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 10:38:12 pm »

น.ส วรัญญา  สิงห์ป้อม  เลขที่ 69  sec 02 รหัส 115310903049-0 สาขา สถิติ วัน 12/01/54  เวลา 22.37   สถานที่ ศุภมาศ

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
shanonfe11
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 121


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #69 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 11:26:57 pm »

นายชานนท์ ชุมพร  เลขที่ 16  รหัส 115210417028-5 sec 02 ตอบที่ หอฟ้าใส วันที่ 12ม.ค.54 เวลา 23.26 น.
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
boatvivi
อภิมหาเทพ
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 95


ดูรายละเอียด
« ตอบ #70 เมื่อ: มกราคม 12, 2011, 11:51:44 pm »

นางสาวณัฎฐพร ชื่นสมบัติ นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ sec02 เลขที่ 1 115010451027-8 เวลา 23.51น. วันที่ 12 ม.ค. 2554

ได้เข้ามมาอ่านแผ่นใสแล้วค่ะ
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
natthapon
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 116


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #71 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 12:02:24 am »

กระผมนายนัฐพล การคณะวงศ์  นศ.วิศวกรรมอุตสาหการ  sec 4
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา  เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13 มกราคม 2554 ที่ หอดู๊ดดรีม  เวลา 0.06 น.
 
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
watcharich
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 108


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #72 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 12:06:08 am »

นายวัชริศ สุจินตกาวงศ์ sec 02 เลขที่ 4 รหัส 115040411037-3 วันที่ 12/01/2554 เวลา 24.04 สถานที่ บ้าน
 
สรุปได้ว่า
     Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ
1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
KanitaSS
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 110


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #73 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 12:14:31 am »

นางสาวคณิตา สุดจิตร์ นศ.คณะวิทยาศาสตร์สาขาสถิติประยุกต์ Sec2 รหัส115310903030-0เลขที่45ตอบกระทู้วันที่13/01/54 เวลา00.14 น.สถานที่บาน็อฟฟี่ เพลส สรุปได้ว่า การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
ยุพารัตน์ หยิบยก
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 113


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #74 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 01:43:53 am »

นางสาวยุพารัตน์ หยิบยก  นักศึกษาคณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี  สาขาวิชาคณิตศาสตร์  sec2  รหัสประจำตัว 115110901011-6
เรียนกับอาจารย์จรัส บุณยธรรมา

    Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ
1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป

Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการของการไบแอสตรง
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
namtan
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 120


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #75 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 01:52:01 am »

ดิฉัน นางสาวณัชชา ธิติบุญจันทร์ นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมอาหาร
sec02 รหัสประจำตัว115210417055-8 เลขที่ 27
เรียนกับอาจารย์จรัส บุณยธรรมา
เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13 เดือน มกราคม พ.ศ. 2554 ที่หอพักโอนิน3 เวลา 01.52น.
ความรู้จากเนื้อหาที่ได้คือ Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ คือ N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป และ P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
ประโยชน์ของไดโอด ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
     
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Eakachai_ie
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 146


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #76 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 04:06:31 am »

นายเอกชัย สงวนศักดิ์   รหัส 115040441086-4 sec.02 เลขที่ 6 ภาควิชาวิศวกรรมอุตสาหการ ตอบกระทู้ที่หอมาลีแมนชัน วันที่ 13/01/2554 เวลา 04.09เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมาการควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Pratanporn
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 121


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #77 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 06:44:40 am »

นายประทานพร พูลแก้ว  รหัส115310903057-3  เลขที่75  sec02  คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขาวิชาสถิติประยุกต์   เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13มกราคม 2554 เวลา 06:36 น.  สถานที่บ้านของตนเอง
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
tanongsak wachacama
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 125


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #78 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 07:50:57 am »

กระผมนายทนงศักดิ์ เวชกามา นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมโยธา รหัส 115330411016-2 กลุ่ม 53341cve  sec04 อาจารย์ผู้สอน อาจารย์จรัส บุณยธรรมา
ได้เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13/01/2554 เวลาึ7.50 น. ที่ spcondo
ได้มีข้อคิดเห็นในเรื่องนี้ว่า
-ในการควบคุมความสามารถในการนำไฟฟ้านั้นในผลึกซิลิกอนทำได้โดยการโดปธาตุอื่เข้าไปทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกทำใหเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ
-ไดโอดเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่ายมีสมบัติการให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางไบแอสตรง
-ทรานซิตเตอร์เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่พัฒนาจากไดโอดสามารถขยายไฟฟ้าให้มีปริมาณมากขึ้นได้
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Kamphon
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 112


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #79 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 11:06:40 am »

นายกัมพล  มิ่งฉาย นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์
เรียนกับผศ.จรัส  บุณยธรรมา ตอบวันที่13-1-2011 เวลา 11.06 น. ที่วิทยบริการ
ในการควบคุมความสามารถในการนำไฟฟ้านั้นในผลึกซิลิกอนทำได้โดยการโดปธาตุอื่เข้าไปทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกทำใหเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ
ไดโอดเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่ายมีสมบัติการให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางไบแอสตรง
ทรานซิตเตอร์เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่พัฒนาจากไดโอดสามารถขยายไฟฟ้าให้มีปริมาณมากขึ้นได้
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
assadawut
มือโปรขยันโพสขั้นเทพ
****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 61


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #80 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 11:36:10 am »

กระผม นายอัษฎาวุฒิ  ลำพา  นศ.วิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ รหัส 115330441202-2 sec.4
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
เข้ามาตอบกระทู้วันที่  13 มกราคม 2554 ที่ บ้าน   เวลา 11.37 น.
ความคิดเห็นว่า
    การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
surachet
อภิมหาเทพ
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 89


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #81 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 01:50:14 pm »

กระผม นายสุรเชฐ กัญจนชุมาบุรพ นศ.วิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ  sec.4
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
เข้ามาตอบกระทู้วันที่  12 มกราคม 2554 ที่ บ้าน ซอยพรธิสาร3  เวลา 12.47 น.
ความคิดเห็นว่า
    การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
sarayut sringam
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 124


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #82 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 02:36:19 pm »

กระผมนายศรายุธ สีงาม  นศ.วิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ sec 4
รหัส 115330441201-4
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
เข้ามาตอบกระทู้วันที่  13 มกราคม 2554 ที่ ตึกวิทยบริการ    เวลา 14.36น
มีความคิดเห็นว่า

-ในการควบคุมความสามารถในการนำไฟฟ้านั้นในผลึกซิลิกอนทำได้โดยการโดปธาตุอื่เข้าไปทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกทำใหเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ
-ไดโอดเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่ายมีสมบัติการให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางไบแอสตรง
-ทรานซิตเตอร์เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่พัฒนาจากไดโอดสามารถขยายไฟฟ้าให้มีปริมาณมากขึ้นได้
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
suppachok
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 131


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #83 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 02:38:46 pm »

นาย ศุภโชค  เปรมกิจ  วิศวกรรมโยธา  53341 cve sec 04 เลขที่ 44 นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมโยธา 115330411051-9เรียนกับอาจารย์จรัส บุณยธรรมาเข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13 เดือน มกราคม พ.ศ. 2554 เวลา 14.38 น.
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
ittiwat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 124


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #84 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 02:39:03 pm »

นายอิทธิิวัตร จิตต์มั่นคงกล เลขที่ 60 รหัส 115110903037-5 วันที่ 13 ม.ค. 54 เวลา14.38 น. สถานที่ บ้าน

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
aecve
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 140


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #85 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 03:03:57 pm »

นาย สมคิด  กุลสุวรรณ รหัส 115330411033-7 กลุ่ม CVE 53341
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
 Grin Grin Grin Grin Grin Grin
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
udomporn
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 123


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #86 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 03:26:30 pm »

นาย อุดมพร พวงสุวรรณ รหัส115330411025-3 sec4 เลขที่19 วิศวกรรมโยธา วันที่13/1/54 เวลา 15.26 ที่หอลากูลแมนชั่น

    การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
nachaya
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 109


ดูรายละเอียด
« ตอบ #87 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 03:39:27 pm »

ผมนาย ณชย ประสพเนตร์ นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ ภาควิชาวิศวกรรมอุตสาหการ
sec 4 เลขที่  49
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
ตอบกระทู้วันที่วันที่  13  มกราคม 2554 เวลา 15.40 น.   สถานที่ บ้าน

   การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
mongkhonphan
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 126


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #88 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 03:43:46 pm »

นายมงคลพันธ์  แซ่หลี 115330411039-4 sec.04 เลขที่32 วิศวกรรมโยธา วันที่ 13/1/54 เวลา15.40 ที่หอลากูน
วัสดุกึ่งตัวนำ โดยในตารางธาตุ แสดงถึงสมบัติกานำไฟฟ้าของธาตุ ขึ้นกับจำนวนวาเฃลซ์ อิเล็กตรอนในอะตอม ของธาตุนั้นๆ จะมีธาตุคาร์บอน, ซิลิกอน และเจอมาเนียม เป็นธาตุที่มีวาเลซ์อิเล็กตอน 4ตัว จึงเรียงตัวเป็น lattice ได้ดี ที่จะทำให้ผลึกซิลิกอนเป็นตัวไฟฟ้า
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Nhamtoey
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 124


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #89 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 04:01:14 pm »

นางสาวเรวดี       จันท้าว  ภาควิชาวิศวกรรมโยธา รหัส 115330411006-3  sec04  เลขที่ 6 ตอบกระทู้วันที่ 13 /01 /2554 เวลา 16.01 น.ที่ห้องสมุดมทร.ธัญบุรี
     Doping Silicon การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก ซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
                1.N-type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
                2.P-type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
     ไดโอดเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบแอสตรง 
สำหรับซิลิคอนไดโอด จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6 โวลต์ และเจอมาเนียมไดโอด จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.2 โวลต์
      ประโยชน์ของไดโอด
1. ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
2. ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่ เช่นวงจรหลอดไฟในจักรยาน หากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่ ทำให้ประหยัดแบตเตอรี่เมื่อปั่นจักรยาน แต่หากจอดรถไว้ หลอดไฟจะได้รับแรงดันจากแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
หน้า: 1 2 [3] 4 5
  พิมพ์  
 
กระโดดไป:  

Powered by SMF 1.1.4 | SMF © 2006-2007, Simple Machines LLC | Thai language by ThaiSMF
หน้านี้ถูกสร้างขึ้นภายในเวลา 0.466 วินาที กับ 21 คำสั่ง