RmutPhysics.com
พฤศจิกายน 23, 2020, 07:54:19 am *
ยินดีต้อนรับคุณ, บุคคลทั่วไป กรุณา เข้าสู่ระบบ หรือ ลงทะเบียน

เข้าสู่ระบบด้วยชื่อผู้ใช้ รหัสผ่าน และระยะเวลาในเซสชั่น
ข่าว:
 
   หน้าแรก   ช่วยเหลือ ค้นหา ปฏิทิน สมาชิก เข้าสู่ระบบ สมัครสมาชิก  
หน้า: 1 2 3 [4] 5
  พิมพ์  
ผู้เขียน หัวข้อ: แผ่นใสเรื่อง electronic  (อ่าน 12075 ครั้ง)
0 สมาชิก และ 2 บุคคลทั่วไป กำลังดูหัวข้อนี้
titikron
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 131


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #90 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 04:05:50 pm »

 
นายฐิติกร  แก้วประชา วิศวกรรมโยธาต่อเนื่อง sec 04 รหัส 115330411022-0 เลขที่ 17 เวลา 16.05น. หอโฟรืบี
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป

    Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
bear
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 126


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #91 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 04:13:18 pm »

นาย อุดม  แก้วชู  sec 4  รหัส  115330411034-5 โยธาต่อเนื่อง  เลขที่ 28  วันที่ 13/1/54 เวลา 16.14 น.   ที่ตึกวิทยบริการ
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
leonado_davinci
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 129


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #92 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 04:19:39 pm »

Jakrapong  Mensin นายจักรพงศ์ เม่นสิน คณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาโยธา รหัส 115330411015-4 sec 4 เลขที่ 12 เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13/1/54 เวลา 4.17 pm ที่ห้องสมุด มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลธัญบุรี
     การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
potchapon031
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 122


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #93 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 08:22:05 pm »

นายภชพน เกตุวงศ์ นักศึกษาวิศวกรรมโยธา หลักสูตรต่อเนื่อง3ปี  รหัสนักศึกษา 115330411031-1
sec4 เลขที่ 25 เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา สถานที่ กิตติพงศ์ แมนชั่น

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
pitak
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 128


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #94 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 08:30:08 pm »

นายพิทักษ์ นงนวล  รหัส 115330411018-8 sec 04 เลขที่ 15 ตอบกระทู้ที่ สวนสุทธิพันธ์ วันที่ 13/01/2554 เวลา 20.30 น. สรุปได้การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
ponyotha
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 123


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #95 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 08:38:10 pm »

ผมนายวีรพล  นุ่มน้อย  เลขที่ 11  รหัส 115330411014-7  sce 4  วิศวกรรมโยธาต่อเนื่อง  วันที่ 13/01/2554  เวลา 20.37น.  หออยู่เจริญแมนชั่น
      การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
oOGIG...k}
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 119


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #96 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 08:39:25 pm »

นายชำนาญกิจ  ศิริยานนท์  เลขที่ 4 sec 04 นศ.วิศวกรรมโยธา  รหัส115330411004-8 วัน 13/01/54  เวลา08:38:55 pm สถานที่ หอเศรษฐบุตร
สรุปสาระสำคัญได้ว่า ....
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
watchaiza
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 119


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #97 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 09:00:59 pm »

กระผม นายธวัชชัย    พลรักษ์  นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมโยธา รหัสนักศึกษา115330411041-0 กลุ่ม53341cve sec04 อาจารย์ผู้สอน อาจารย์จรัส บุณยธรรมา สถานที่ บ้านพฤกษา 9 เวลา 21.00
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
PoxyDonZ
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 123



ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #98 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 09:16:48 pm »

 นาย สุรศักดิ์ ด้วงใจจิตร รหัส 115330411036-0 วิศวกรรมโยธา เวลา 09.20 pm. วันที่ 13 ม.ค. 54 สถานที่ หอร์ โฟร์บี 2

   การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Thaweesak
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 130


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #99 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 09:19:35 pm »

นาย ทวีศักดิ์ ธนทรัพย์ทวี  วิศวกรรมโยธา  รหัส 115330411008-9 sec04 เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13/01/54 เวลา 21.19 น. ที่หอพัก มาลีแมนชั่น
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
civil kang
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 114


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #100 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 10:10:00 pm »

 นาย สราวุฒิ ดีดวงพันธ์ 115330411028-7 sec 4 วิศวกรรมโยธา วันที่ 13/1/2554 22:09
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Meena
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 108


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #101 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 10:21:50 pm »

นายพสิษฐ์  แดงอาสา   นศ.วิศวกรรมโยธา  รหัส 115330411011-3  Sec 4    ณ บ้านเลขที่ 231/135


  การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
wuttipong
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 120


ดูรายละเอียด
« ตอบ #102 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 10:36:03 pm »

กระผมนายวุฒิพงษ์ สุขะ วิศวกรรมโยธา เลขที่ 23 รหัส 115330411029-5 เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13/01/54 เวลา 22:36 น. ที่หอพัก FourB5
สรุปได้ว่า
 การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
thanathammarat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 126


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #103 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 11:03:18 pm »

นายปรัชญาพล ธนาธรรมรัตน์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาอุตสาหการ-การจัดการ sec.17 เลขที่ 14 รหัสประจำตัว115340441204-7 ตอบกระทู้วันที่ 13-01-2554 เวลา 23:03 น. สถานที่ บริษัท Siam lemmerz
เนื้อหาสรุปได้ว่า...
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 วิธี คือ
       1. N-Type doping คือ การทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping คือ การทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - ซิลิคอนไดโอด      จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
tum moment
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

เพศ: ชาย
กระทู้: 125


tum-ce@hotmail.com
ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #104 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 11:30:23 pm »

Cryนายกิติศักดิ์ รัตนมณี นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ ภาควิชาวิศวกรรมโยธา 53341CVE  sec.4 รหัสประจำตัว 115330411027-9
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา วันที่ 13 มกราคม พศ.2554  ที่หอพักมณีโชติ เวลา 23.30น. 

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Monthon
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 123


ดูรายละเอียด
« ตอบ #105 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 11:47:05 pm »

กระผม นายมณฑล รินชุมภู นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ (สมทบ) SEC.17 รหัสประจำตัว 115340441206-2 เลขที่ 16 เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13 เดือน มกราคม พศ.2554 เวลา 23:47น.  สถานที่  บ้านพักที่วังน้อย 


สรุปได้ว่า   การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่

   



   


แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
sangtawee
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 115


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #106 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 11:50:49 pm »

กระผมนายแสงทวี พรมบุตร นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมโยธา รหัสนักศึกษา115330411035-2 กลุ่ม53341cve sec04 อาจารย์ผู้สอน อาจารย์จรัส บุณยธรรมา
ได้เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 13/01/2554 ที่หอพักFourB5 เวลา23.50 น.

 Doping Silicon การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก ซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
                1.N-type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
                2.P-type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
     ไดโอดเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบแอสตรง 
สำหรับซิลิคอนไดโอด จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6 โวลต์ และเจอมาเนียมไดโอด จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.2 โวลต์
      ประโยชน์ของไดโอด
1. ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
2. ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่ เช่นวงจรหลอดไฟในจักรยาน หากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่ ทำให้ประหยัดแบตเตอรี่เมื่อปั่นจักรยาน แต่หากจอดรถไว้ หลอดไฟจะได้รับแรงดันจากแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
sarayut
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 131


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #107 เมื่อ: มกราคม 13, 2011, 11:52:05 pm »

นาย ศรายุทธ เที่ยงแท้  วิศวกรรมโยธา  115330411001-4 sec  04  เลขที่ 1 วันที่ 13/1/53  เวลา  23.52 น. หอพัก
  การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Suphakorn
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 154


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #108 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 12:20:21 am »

กระผมนาย สุภากร  หงษ์โต นศ.คณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ รหัสนักศึกษา 115330441211-3  Sec.04
เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา ตอบกระทู้วันที่ 14 มกราคม 2554  เวลา 00.20 น. ที่หอพัก gooddream
มีความคิดเห็นว่า
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
 
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
kangsachit
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 134


ดูรายละเอียด
« ตอบ #109 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 12:57:13 am »

นายกังสชิต จิโน  นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาโยธา รหัส 115330411017-0 sec 4 เลขที่ 14 เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 14/1/54 เวลา 0.57  pm หอมาลีแมนชั่น
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
somphoch
อภิมหาเทพ
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 99


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #110 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 01:02:35 am »

นายสมโภชน์  จิกกรีนัย SEC 17 เลขที่ 34 รหัส 115340441247-6 นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 14/01/2554
ที่ หอ  เวลา 01.20 น.
1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Thamanoon
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 124


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #111 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 01:12:29 am »

ผมนายธรรมนูญ พุทธวงษ์  นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์  สาขาวิศวกรรมโยธา  sec. 04  เลขที่  9  รหัส  115330411009-7
เรียนกับ อ.  จรัส บุณยธรรมา  เข้ามาตอบกระทู้วันที่  14  ม.ค.  2554   สถานที่  บ้านเช่า ซอยอีสเทิร์น  เวลา  1.12 น.
มีความเห็นว่า
    Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป

    Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
ณัฐพงษ์ สันทะ
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 114


ดูรายละเอียด
« ตอบ #112 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 02:39:47 am »

กระผม นาย ณัฐพงษ์  สันทะ นักศึกษาคณะ วิศวกรรมอุตสาหการ - การจัดการ sec 4 รหัสประจำตัว 115330441216-2
เรียนกับอาจารย์ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
เข้ามาตอบกระทู้วันที่_14  เดือน_01  พศ_2554   ที่(ชื่อหอพัก/ชื่อบ้านพัก)_ประสงค์  เวลา_02.39
มีความเห็นว่า/มีข้อคิดเห็นว่า/ความรู้จากเนื้อหาที่ได้ คือ

 การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
chinnapot
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 109


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #113 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 12:53:59 pm »

นายชินพจน์  เดชเกษรินทร์  115340441238-5 คณะ วิศวกรรมอุตสาหการ sec17 วันที่ 14/01/54  เวลา12.54  ณ ทรัพย์ถาวรอพาร์ทเม้นท์

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
รัฐพล เกตุอู่ทอง
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 116


ดูรายละเอียด
« ตอบ #114 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 09:44:00 pm »

กระผม นายรัฐพล  เกตุอู่ทอง นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ (สมทบ) SEC.17 รหัสประจำตัว 115340441229-4 เลขที่ 26 เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 14 เดือน มกราคม พศ.2554 เวลา 21:43 น.  สถานที่ หอพักเฉลิมพล
สรุปว่า

 การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
pichet
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 144


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #115 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 09:49:35 pm »

กระผมนายพิเชษฐ์  จันทร์โสภา   นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ ภาควิชาวิศวกรรมโยธา sec 4 รหัสประจำตัว 115330411044-4 เลขที่ 37 วันที่ 14/01/54 เวลา 21.52 น.
เรียนกับอาจารย์ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
 
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
tongchai
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 124


ดูรายละเอียด
« ตอบ #116 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 10:11:10 pm »

ผมนาย ธงชัย ฉิมสุด นักศึกษาวิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ (สมทบ) sec 17 รหัส 115340441240-1  เข้ามาตอบกระทู้วันที่  14 มกราคม 2554 ณ หอพักโพธิ์ทอง  เวลา 22.10 น

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
siwasit ridmahan
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 112


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #117 เมื่อ: มกราคม 14, 2011, 10:33:45 pm »

นายสิวะสิทธิ์ ฤทธิ์มะหันต์ นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ ภาควิชาวิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ 53444INE  sec.17 รหัสประจำตัว 115340441244-3
เรียนกับ ผศ.จรัส บุณยธรรมา วันที่ 14 มกราคม 2554  ที่หอพักเฉลิมพล เวลา22.33 น.
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่ 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
ศราวุธ พูลทรัพย์
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 132


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #118 เมื่อ: มกราคม 15, 2011, 10:10:19 am »

นายศราวุธ พูลทรัพย์ 115330411042-8 sec.04 เลขที่35 ภาควิชาวิศวกรรมโยธา ตอบกระทู้ที่หอลากูล วันที่  15/01/2554 เวลา10.10น.         
 เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา
  วัสดุกึ่งตัวนำ โดยในตรางธาตุแสดงถึง สมบัติการนำไฟฟ้าของธาตุ ซึ้งขึ้นกับ จำนวนวาเลนซ์อิเลกตรอนในอะตอม ของธาตุนั้นๆ จะมีธาตุคาร์บอน ซิลิกอน และเวอมาเนีย เป็นธาตุที่มีวาเลนส์อิเล็กตรอน 4ตัว จึงเรียกว่าเป็น lattice ได้ดี ทำให้ไม่มีวาเลนอิเลกตรอน ที่จะทำใหผลึกซิลิกอน เป็นตัวนำไฟฟ้าได้
 Doping Siliicon การควบคุมความสามารถทำให้ไฟฟ้าในผลึกซิลิกอน จึงทำได้โดยการใส่ธาตุอื่นเข้าไป ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ ซึ้งสามารถทำได้ 2 แบบ
 1. N-type doping ทำให้ผลึกซิลิกอนกลายเป้ฯตัวนำ โดยการเติม P หรือ  AS ลงไป
 2. P-type doping ทำให้ผึกซิลิกอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัวโดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
hatorikung_nutt
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 123


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #119 เมื่อ: มกราคม 15, 2011, 04:52:54 pm »

นายพงษ์ศักดิ์  เลิศศรี นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาอุตสาหการ-การจัดการ sec.17 เลขที่19   รหัสประจำตัว115340441209-6
อาจารย์ผู้สอน อาจารย์ จรัส บุณยธรรมา   ตอบกระทู้วันที่  15/01/54 เวลา16.53 ณ ตึก IT RMUTT

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
หน้า: 1 2 3 [4] 5
  พิมพ์  
 
กระโดดไป:  

Powered by SMF 1.1.4 | SMF © 2006-2007, Simple Machines LLC | Thai language by ThaiSMF
หน้านี้ถูกสร้างขึ้นภายในเวลา 0.484 วินาที กับ 21 คำสั่ง