RmutPhysics.com
พฤศจิกายน 23, 2020, 07:59:24 am *
ยินดีต้อนรับคุณ, บุคคลทั่วไป กรุณา เข้าสู่ระบบ หรือ ลงทะเบียน

เข้าสู่ระบบด้วยชื่อผู้ใช้ รหัสผ่าน และระยะเวลาในเซสชั่น
ข่าว:
 
   หน้าแรก   ช่วยเหลือ ค้นหา ปฏิทิน สมาชิก เข้าสู่ระบบ สมัครสมาชิก  
หน้า: 1 ... 3 4 [5]
  พิมพ์  
ผู้เขียน หัวข้อ: แผ่นใสเรื่อง electronic  (อ่าน 12076 ครั้ง)
0 สมาชิก และ 1 บุคคลทั่วไป กำลังดูหัวข้อนี้
bankclash032
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 129


ดูรายละเอียด
« ตอบ #120 เมื่อ: มกราคม 15, 2011, 05:55:32 pm »

 Smileyกระผม   นาย สุริยพงศ์  ทองคำ  นักศึกษาคณะวิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ
 sec 17 เลขที่ 24 รหัสประจำตัว115340441221-1
เรียนกับอาจารย์  จรัส  บุญยธรรมา
 ตอบเมื่อวันที่  15/1/54  เวลา17.56 น. ณ.หอประสงค์  Grin
สรุปได้ว่า
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
  1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
  2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
  - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
  - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
ประโยชน์ของไดโอด
  - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
  - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
attakron006@hotmail.com
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 110


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #121 เมื่อ: มกราคม 15, 2011, 05:57:02 pm »

กระผม นาย อรรถกร   จิตรชื่น นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ (สมทบ) SEC.17 รหัสประจำตัว 115340441217-9 เลขที่ 22 เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 15 เดือน มกราคม พศ.2554 เวลา   17.57 น.  สถานที่ บ้านฟ้ารังสิต
สรุป
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
opisit
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 124


ดูรายละเอียด
« ตอบ #122 เมื่อ: มกราคม 15, 2011, 10:59:53 pm »

กระผม นาย พิสิทธิ์ สอนเทศ นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาสตร์ sec 17 รหัสประจำตัว 115340441207-0
เรียนกับอาจารย์ ผ.ศ. จรัส บุณยธรรม
เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 15 เดือน มกราคม พ.ศ. 2554 ที่บ้าน เวลา 22:53
มีความเห็นว่า/มีข้อคิดเห็นว่า/ความรู้จากเนื้อหาที่ได้ คือ   
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
jackmaco
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 122


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #123 เมื่อ: มกราคม 15, 2011, 11:07:26 pm »

นายธีรพงษ์ ม้วนทอง คณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาอุตสาหการ-การจัดการ sec.17   รหัสประจำตัว115340441211-2
ตอบกระทู้วันที่ 15/01/54  เวลา 23:07 น. สถานที่ หอพัก เอื้อมเดือน

สรุป : การไบแอสตรง คือ การต่อขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟฟ้าเข้าที่สาร P และต่อขั้วลบเข้าที่สาร N 
       การไบแอสกลับ คือ การต่อขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟเข้าที่สาร P และต่อขั้วบวกเข้าที่สาร N
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
LeeOa IE'53 SEC.17
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 118


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #124 เมื่อ: มกราคม 16, 2011, 12:09:58 am »

กระผม นาย สุธี  มีอำมาตย์ นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ (สมทบ) เลขที่ 15 SEC.17 รหัสประจำตัว 115340441205-4
เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 16 เดือน มกราคม พศ.2554 เวลา 0:10 AM.  สถานที่บ้านพักที่วังน้อยมีความเห็นว่า

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
sompol w. 53444 INE
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 121


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #125 เมื่อ: มกราคม 16, 2011, 01:04:11 am »

 Smileyกระผม นายสมพล วงศ์ไชย คณะ วิศวกรรมอุตสาหการ sec 17
 รหัสนักศึกษา 115340441208-8
เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา
เข้าตอบกระทู้วันที่ 16 เดือน มกราคม พศ.2554 ที่ จันทร์เพ็ญอพาร์ทเม้นต์ เวลา 1:04
 Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
sathian757
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 156


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #126 เมื่อ: มกราคม 16, 2011, 01:32:53 am »

นาย เสถียร ปานามะเส sec17 รหัส 115340441203-9 สถานที่ หอพักนวนคร ตอบกระทู้วันที่ 16/01/2554 เวลา 01.31 น.

    การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก
ซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ 1.N-type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป 2.P-type doping
ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
ratthasart
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 127


ดูรายละเอียด
« ตอบ #127 เมื่อ: มกราคม 16, 2011, 02:21:05 am »

ผมนายรัฐศาสตร์  ไชยโส นักศึกษาภาควิชาวิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ sec.4
รหัส 115330441218-8 เลขที่ 61 เรียนกับผศ.จรัส บุณยธรรมา
ตอบกระทู้วันที่ 16 มกราคม 2554 เวลา 02.21 น. ที่ ห้องพัก
มีความคิดเห็นว่า
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Prachija
มือโปรขยันโพส
***
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 38


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #128 เมื่อ: มกราคม 16, 2011, 07:46:01 am »

กระผม นาย ประชิด จันทร์พลงาม นักศึกษาคณะ วิศวกรรมโยธา sec 17 รหัสประจำตัว 115340411110-2
เรียนกับอาจารย์  จรัส  บุญยธรรมา
เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 16 เดือน  มกราคม พศ 2554 ที่  บ้านพัก  เวลา 7.46 น.
มีความเห็นว่า/มีข้อคิดเห็นว่า/ความรู้จากเนื้อหาที่ได้ คือ 
 การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
sathian757
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 156


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #129 เมื่อ: มกราคม 16, 2011, 08:16:47 am »

นายชัยยันต์ นุยืนรัมย์ นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ (สมทบ) SEC.17 รหัสประจำตัว 115340441215-3 เลขที่ 21เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 16 เดือน มกราค  พศ.2554 เวลา 08:15น.  สถานที่ ห้องพักนวนคร
 การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Phatcharee
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 114


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #130 เมื่อ: มกราคม 17, 2011, 07:21:56 pm »

นางสาวพัชรี  มากพริ้ม  นักศึกษาคณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี  สาขา สถิติประยุกต์ sec. 02  เลขที่  18 รหัส  115110903048-6 เข้ามาตอบกระทู้วันที่  17  ม.ค.  2554 สถานที่  บ้าน  เวลา  19.35น.
 Tongueการควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Benjawan Onnual
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 113


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #131 เมื่อ: มกราคม 19, 2011, 07:18:04 pm »

นางสาวเบญจวรรณ  อ่อนนวล เลขที่ 55 sec 02 รหัส 1153109030326 สาขาสถิติประยุกต์ ตอบกระทู้เมื่อ 19/1/2554 เวลา 19.17 น. ณ หอพักนำรงค์

     Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ
1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
pollavat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 120


ดูรายละเอียด
« ตอบ #132 เมื่อ: มกราคม 19, 2011, 10:58:22 pm »

กระผม นาย พลวัฒน์ คำกุณา  นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ ภาควิชาวิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ  sec 4
เรียนกับอาจารย์ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 19 เดือน มกราคม พ.ศ. 2554 ที่หอพัก zoom  เวลา 22.56 น
มีความคิดเห็นว่า
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
suchart
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 126


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #133 เมื่อ: มกราคม 20, 2011, 12:24:54 am »

กระผมนาย สุชาติ สุวรรณวัฒน์ นักศึกษาคณะวิศวกรรมโยธา SEC 1 เลขที่ 31 รหัส 115210441230-7 อาจารย์ผู้สอน ผศ. จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ /20/1/2554 ที่บ้าน เวลา 00.24 น.
   การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
mypomz
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 121


ดูรายละเอียด
« ตอบ #134 เมื่อ: มกราคม 21, 2011, 09:50:18 am »

นายนพรัตน์  โตอิ่ม    คณะวิศวกรรมโยธา
รหัส 115330411040-2  เลขที่ 33    sec 4   
ตอบกระทู้วันที่  21 ม.ค. 54  เวลา  9.50 สถานที่ หอพัก

สรุปสาระสำคัญได้ว่า ....
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
rungarun
อภิมหาเทพ
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 86


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #135 เมื่อ: มกราคม 22, 2011, 10:31:45 pm »




นายรุ่งอรุณ  แย้มประดิษฐ์   นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ ภาควิชาอุตสาหการ-การจัดการ sec 17 รหัสประจำตัว 115340441246-8 เลขที่ 36 วันที่ 22/01/54 เวลา 22.32 น.
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
watit
อภิมหาเทพ
*****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 89


ดูรายละเอียด
« ตอบ #136 เมื่อ: มกราคม 23, 2011, 12:03:08 am »


กระผมชื่อนายวาทิต บุพศิริ นักศึกษา CVE2 สมทม SEC 17 รหัส 115340411106-0
เข้ามาตอบเมื่อ23/01/2011 เวลา12:03am ทีบ้าน
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
 
 
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
satawat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 100


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #137 เมื่อ: มกราคม 23, 2011, 06:08:17 pm »

กระผม นาย ศตวรรษ รัตนภักดี นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ  เลขที่ 34 SEC.02 รหัสประจำตัว 115210441263-8
เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 23 มกราคม พ.ศ. 2554 เวลา 18.07 สถานที่บ้าน
มีความเห็นว่า
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
chatchai
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 127


ดูรายละเอียด
« ตอบ #138 เมื่อ: มกราคม 26, 2011, 03:28:28 pm »

กระผม นาย ฉัตรชัย กล่อมเกลี้ยง  นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ (สมทบ) SEC.17 รหัสประจำตัว 115340441232-8 เลขที่ 28      เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่
26 เดือน มกราคม พศ.2554 เวลา 15.28  น.  สถานที่ หอพัก 4B

สรุปว่า


การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
sodiss
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 110


ดูรายละเอียด
« ตอบ #139 เมื่อ: มกราคม 26, 2011, 05:04:50 pm »

นาย ธรรมนันท์ เหมือนทิพย์ นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ  เลขที่ 27 SEC.02 รหัสประจำตัว 115210441248-9
เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 26 มกราคม พ.ศ. 2554 เวลา 17.04 น. สถานที่ หอพักบ้านดวงพร  มีความเห็นว่า
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Sonthaya Suwaros
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 102


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #140 เมื่อ: มกราคม 27, 2011, 02:59:35 pm »

นายสนธยา สุวรส นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ วิศวกรรมอุตสาหกรรม รหัสประจำตัว 115040441089-8 วันที่ 27ม.ค. 54  เวลา 15.00 น.ครับผม

สรุปได้ว่า
วัสดุกึ่งตัวนำ คาร์บอน, ซิลิคอน และเจอมาเนียมเป็นธาตุที่มีวาเลนซ์อิเล็กตรอน 4 ตัว จึงเรียงตัวเป็น lattice ได้ดี ทำให้ไม่มีวาเลนซ์อิเล็กตรอนที่จะทำให้ผลึกซิลิคอนเป็นตัวนำไฟฟ้าได้ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก ซึ่งโดปได้ 2 แบบ
1.N-type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
2.P-type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
- สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
- เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
ประโยชน์ของไดโอด
- ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
- ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
สรุปคือ
1. วัสดุกึ่งตัวนำ ทำมาจาก ซิลิคอน, เจอมาเนียมและคาร์บอน
2. Doping Silicon การควบคุมความสามารถในการนำไฟฟ้า ทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก
3. การไบแอสตรง คือ การต่อขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟฟ้าเข้าที่สาร P และต่อขั้วลบเข้าที่สาร N
4. การไบแอสกลับ คือ การต่อขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟเข้าที่สาร P และต่อขั้วบวกเข้าที่สาร N
5. ไดโอด มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบแอสตรง ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้าเสียหายหากต่อผิดขั้ว
6. LED จะให้แสงสว่างเมื่อมีกระแสไฟฟ้าไหลถูกขั้ว
7. LDR เป็นอุปกรณ์ที่สามารถเปลี่ยนค่าความต้านทานเองได้ตามความเข้มแสงที่ตกกระทบ
ครับ...
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
m_japakiya
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 110


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #141 เมื่อ: มกราคม 31, 2011, 02:33:19 pm »

 นาย มูฮำหมัดนาวี จะปะกียา  เลขที่ 2 sec 17 รหัส  115340411104-5  คณะวิศวกรรมศาสตร์  ภาควิชา วิศวกรรมโยธา   ณ บ้าน จรัญสนิทวงศ์  31-01-54  เวลา  14.27 น.
เรียนกับอาจารย์ ผศ.จรัส บุณยธรรมา
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
suradet phetcharat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 109


ดูรายละเอียด
« ตอบ #142 เมื่อ: กุมภาพันธ์ 03, 2011, 12:30:15 pm »

นายสุรเดช  เพ็ชรรัตน์ นักศึกษาคณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมโยธา CVE2 Sec17 เลขที่ 9 รหัส 115340411115-1
ผศ.จรัส บุณยธรรมา
เข้ามาตอบกระทู้วันที่  3 กุมภาพันธ์ 2554 เวลา  12.30 น.Office สำนักงานบริษัทไทยวัฒน์   
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
chaiyun
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 117


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #143 เมื่อ: กุมภาพันธ์ 04, 2011, 05:41:33 pm »

นายชัยยันต์ นุยืนรัมย์ นักศึกษาคณะ วิศวกรรมศาตร์ สาขา อุตสาหการ-การจัดการ (สมทบ) SEC.17 รหัสประจำตัว 115340441215-3 เลขที่ 21เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา เข้ามาตอบกระทู้วันที่ 4/2/54  เวลา 17.40น.  สถานที่ ห้องพักนวนคร
 การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Kitiwat
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 145


ดูรายละเอียด
« ตอบ #144 เมื่อ: กุมภาพันธ์ 10, 2011, 02:02:59 am »

นายกิติวัฒน์ ศรประสิทธิ์  เลขที่ 24 รหัส 115330411030-3 วิศวกรรมโยธา sec 4

สรุปสาระสำคัญได้ว่า ....
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
NISUMA
มือโปรขยันโพสขั้นเทพ
****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 69


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #145 เมื่อ: กุมภาพันธ์ 10, 2011, 11:54:03 am »


นางสาวนิสุมา พรมนวล  รหัส115110901010-8  เลขที่8  sec02  คณะวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี สาขาคณิตศาสตร์   

การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์

       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
Chanon_non26
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 109


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #146 เมื่อ: กุมภาพันธ์ 10, 2011, 03:38:44 pm »

นายชานนท์ พงษ์ไพโรจน์ 115310903029-2 เลขที่ 52  sec 3 ;   วันทิ่ 10.2.54 เวลา 13.38 ที่วิทยบริการ
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
  ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่

   



แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
อภิรักษ์
มือโปรขยันโพสขั้นเทพ
****
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 58


ดูรายละเอียด
« ตอบ #147 เมื่อ: กุมภาพันธ์ 11, 2011, 01:19:19 am »

นายอภิรักษ์   มีศิลป์ คณะวิศวกรรมศาสตร์ สาขาวิศวกรรมอุตสาหการ-การจัดการ  Sec.04
เรียนกับอาจารย์ จรัส บุณยธรรมา ตอบวันที่ 10 กุมภาพันธ์  เวลา 01:19 น. ที่หอพัก AP แมนชั่น  มีความคิดเห็นว่า
Doping  Silicon  คือ การควบคุมความสามารถการนำไฟฟ้าในผลึกซิลิคอน จึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นๆเข้ามาทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึก 
ซึ่ง เราสามารถโดปได้ 2 แบบ  คือ 1. N-type  doping  ทำให้ซิลิคอนกลายเป็นผลึกตัวนำโดยการเติม  P  หรือ As ลงไป
2. P-type  doping  ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว  โดยการเติม B หรือ Ga ลงไป
Diodde  เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไหลในทิศทางเดียวของการไบแอสตรง
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
aek cve rmutt
อภิมหาเทพโพสเก่ง
*******
ออฟไลน์ ออฟไลน์

กระทู้: 124


ดูรายละเอียด อีเมล์
« ตอบ #148 เมื่อ: กุมภาพันธ์ 11, 2011, 02:08:39 am »

นาย เอกชัย  เสียงล้ำ  115330411046-9 sec 4 วิศวกรรมโยธา กลุ่ม 53341 เวลา 2.08
การควบคุมความสามารถนำไฟฟ้าในผลึกซิลิกอนจึงทำได้โดยการโดปธาตุอื่นเข้าไป  ทำให้เกิดความไม่บริสุทธิ์ในตัวผลึกซึ่งสามารถโดปได้ 2 แบ
       1. N-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นตัวนำโดยการเติม P หรือ As ลงไป
       2. P-Type doping ทำให้ผลึกซิลิคอนขาดอิเล็กตรอนไป 1 ตัว โดยการเติม B หรือ Ga  ลงไป
   Diode เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอย่างง่าย  มีสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ทางเดียวในทิศทางการไบบแอสตรง
       - สำหรับซิลิคอนไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม 0.6  โวลต์
       - เจอมาเนียมไดโอด  จะเริ่มนำกระแสที่แรงดันตกคร่อม  0.2  โวลต์
   ประโยชน์ของไดโอด
       - ใช้ป้องกันไม่ให้เครื่องใช้ไฟฟ้ากระแสตรงเสียหายหากต่อแหล่งกำเนิดผิดขั้ว  ซึ่งจะทำให้วงจรไม่มีกระแสไหล
       - ใช้เป็นสวิตช์ในวงจรแบตเตอรี่ที่ต่อค้างอยู่  เช่น วงจรหลอดไฟฟ้าในจักรยานหากไดนาโมหมุนจะผลิตแรงดันไฟสูงกว่าแบตเตอรี่
 
แจ้งลบกระทู้นี้หรือติดต่อผู้ดูแล   บันทึกการเข้า
หน้า: 1 ... 3 4 [5]
  พิมพ์  
 
กระโดดไป:  

Powered by SMF 1.1.4 | SMF © 2006-2007, Simple Machines LLC | Thai language by ThaiSMF
หน้านี้ถูกสร้างขึ้นภายในเวลา 0.397 วินาที กับ 21 คำสั่ง